Tipo de transistor: P-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: Unipolar
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -14A
Poder disipado: 79W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 0.2Ω
Montaje: THT
Carga de puerta: 38.7nC
Clase de canal: Enriquecido
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